三叉神经中脑核内假单极神经元的电生理和形态特性-神经解剖学杂志

三叉神经中脑核内假单极神经元的电生理和形态特性

单位：第四军医大学,解剖学教研室暨梁銶琚脑研究中心,西安,710032第四军医大学,神经科学研究所,西安,710032

关键词：三叉神经中脑核红外可视显微技术膜片钳 biocytin细胞内标记免疫组织化学大鼠

分类号：R3

出版年·卷·期（页码）：2007·23·第五期（1-1）

摘要：

为了探讨三叉神经中脑核(Vme)神经元的电生理和形态学特征,本研究应用红外可视脑片膜片钳技术、biocytin细胞内标记技术以及免疫组织化学染色方法观察大鼠Vme内假单极神经元的电生理和形态学特征.结果显示:(1)长时程去极化方波刺激能够引起Vme神经元重复放电,且根据放电模式的不同,可将其分为快适应型神经元和慢适应型神经元两种类型,其中快适应型神经元占绝大多数;(2)经biocytin细胞内标记并染色后,光学显微镜下观察两种类型的Vme神经元在形态上均为假单极神经元,无显著差别.以上结果提示:形态学类型相同的Vme神经元的电生理学特点具有多样性,这可能与Vme神经元担负复杂的口面部本体觉信息的传递功能有关.

参考文献：

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